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摘要
GaAs基LED具有体积小、寿命长、价格低廉、工艺成熟和发光效率高等优点，因此在中短距离光纤通信系统中具有广阔的应用前景，其可靠性也日益受到关注。由于LED是静电敏感型器件，静电放电损伤是LED常见的失效现象之一。为了研究LED的静电放电失效现象和特征，对GaAs基光通信LED进行10个负向脉冲、充电电压为1 kV的人体模型静电放电实验，并研究了静电损伤对其电学特性的影响、失效区域的光发射和TEM微观形貌3个方面的内容，为判别静电失效提供了物理及工程上的判据。
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GaAs基LED具有体积小、寿命长、价格低廉、工艺成熟和发光效率高等优点，因此在中短距离光纤通信系统中具有广阔的应用前景，其可靠性也日益受到关注。由于LED是静电敏感型器件，静电放电损伤是LED常见的失效现象之一。为了研究LED的静电放电失效现象和特征，对GaAs基光通信LED进行10个负向脉冲、充电电压为1 kV的人体模型静电放电实验，并研究了静电损伤对其电学特性的影响、失效区域的光发射和TEM微观形貌3个方面的内容，为判别静电失效提供了物理及工程上的判据。
