退火温度对磷掺杂ZnO结构及电学性质的影响

作者：解玉鹏^*; 王显德

来源：大学物理实验, 2018, 31(06): 5-8.

DOI：10.14139/j.cnki.cn22-1228.2018.06.002

• 磁控溅射
• ZnO薄膜
• p型
• 退火温度

采用磁控溅射方法在石英衬底上制备ZnO薄膜,利用XRD对薄膜结构进行表征,SEM表征薄膜的表面形貌,讨论了退火温度对薄膜结构和电学性质的影响。结果表明,在750℃快退火后,磷受主被激活,得到了p型ZnO:P薄膜。

• 单位
  吉林化工学院