纳米氧化钨气敏传感器研究进展

作者:杨帆; 尹桂林; 葛美英; 何丹农
来源:现代制造技术与装备, 2016, (12): 23-26.
DOI:10.16107/j.cnki.mmte.2016.1019

摘要

在对各种有害气体检测的研究领域内,纳米半导体金属氧化物气敏传感器有着十分重要的地位。作为一种n型半导体金属氧化物,氧化钨因其独有的结构和性能特点,成为近年来气敏材料的研究重点和热点。本文简单介绍氧化钨系气敏材料的气敏响应机理,总结近年来改良和提高纳米氧化钨材料气敏性能的主要工艺和方向,最后指出其自身的不足及未来的研究发展方向。

全文