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摘要
采用射频磁控溅射技术在硅衬底和石英玻璃衬底上制备了Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,研究了不同衬底对AZO薄膜的结构、形貌、电学和光学性质的影响。结果表明:硅衬底上沉积的AZO薄膜具有更好的结晶质量;同时,硅衬底上AZO薄膜电阻率和载流子浓度较玻璃衬底上的性能提高10倍以上,其霍尔迁移率提高约17倍左右,硅衬底上AZO薄膜表现出优异的电学特性;所有样品在紫外光区有弱的发光峰,在可见光区有强而宽的绿光和黄光发光峰,紫外发光峰来源于ZnO的带间跃迁。此外,样品在可见光区平均透射率达90%以上。该实验研究结果对于可控生长的AZO透明导电薄膜在光伏器件上的应用具有重要意义。
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单位江苏理工学院
