InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面探测器研究

作者：温涛; 邢伟荣; 李海燕; 李春领; 刘铭; 李忠贺; 郭喜; 亢喆; 张智超; 陈彦冠

来源：红外, 2021, 42(05): 1-6.

• InAs/GaSb Ⅱ类超晶格
• 长波红外
• 焦平面阵列

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料是第三代红外焦平面探测器的优选材料。报道了一种面阵规模为320×256、像元中心距为30μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面器件。在77 K时,该器件的平均峰值探测率为7.6×1010 cm·Hz1/2·W-1,盲元率为1.46%,响应非均匀性为7.55%,噪声等效温差(Noise Equivalent Temperature Difference, NETD)为25.5 mK。经计算可知,这种器件的峰值量子效率为26.2%,50%截止波长为9.1μm。最后对该器件进行了成像演示。结果表明,该研究为后续的相关器件研制奠定了基础。

• 单位
  华北光电技术研究所