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摘要
本发明公开了一种抗辐照集成电路单粒子效应截面预估方法,主要是解决在相同地面重离子加速辐照实验条件下单粒子效应截面预估问题,其技术方案为：从大量的工程试验数据出发,分析离子总注量与其所引起的单粒子效应次数之间的逻辑相关性,结合单粒子效应产生的机理和概率论统计理论,建立下一次单粒子效应出现的时间节点Δti+1的预估模型以及整个电路单粒子效应截面δ的预估模型,从而建立了离子总注量及其所引起单粒子效应次数之间的逻辑关系,本发明解决了在相同试验条件下单粒子效应截面预估问题,为抗辐照集成电路的地面加速模拟试验评估提供了一种工程性的分析手段。可用于对航天微电子器件抗辐照性能预估。
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