采用多级噪声抵消技术的CMOS全差分LNA设计

作者：姚春琦; 毛陆虹; 张世林; 谢生

来源：电路与系统学报, 2013, (01): 90-94+101.

• 低噪声放大器
• 噪声消除技术
• 线性度改善技术
• CMOS射频集成电路 low-noise amplifier
• noise cancellation technology
• linearity improvement techniques
• CMOS radio frequency integrated circuits

设计了一种用于2.4GHz RFID单芯片阅读器的CMOS低噪声放大器(LNA)。该设计采用全差分共源共栅结构和新颖的多级噪声抵消技术,不仅减小了电路的噪声而且增加了系统的线性度。芯片采用标准UMC 0.18um CMOS工艺,工作电压为1.2V时,消耗电流小于8mA,后仿真结果表明2.4GHz时,芯片达到1.69dB噪声系数,大于14.25dB功率增益以及-1.1dBm的输入三阶截点(IIP3)。设计满足单芯片阅读器低噪声,低功耗和高线性度的要求。

• 单位
  天津大学