BNST薄膜电容的制备及电性能研究

作者：莫尚军; 张继华; 杨传仁; 陈宏伟; 余为国

来源：压电与声光, 2011, (04): 582-584+589.

• BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2(BNST)
• 微结构
• 介电性能
• 介温系数
• 漏电流密度 BNST
• microstructure
• dielectric properties
• temperature coefficient of dielectric constant
• drain current density

采用磁控溅射法在覆釉95-Al2O3陶瓷基片上制备了BaO-Nd2O3-Sm2O3-TiO2(BNST)微波介质薄膜为介质的金属-绝缘体-金属结构电容器。原子力显微镜(AFM)显示在800℃退火0.5 h后的BNST薄膜晶粒形状完整;XRD图谱显示薄膜化后BNST晶体面间距减小;电性能测试表明,1 MHz频率下BNST薄膜介电常数为77.2,介电损耗为0.25%,-55~125℃范围内介温系数为-51.8×10-6/℃,30 V偏压下漏电流密度为3.28×10-8A/cm2。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室