侧入射探测器(MPD)V型槽反射镜工艺制备

作者：康建波; 张世祖; 张奇

来源：电子工艺技术, 2022, 43(03): 143-152.

DOI：10.14176/j.issn.1001-3474.2022.03.006

• V型槽反射镜
• TiO2掩膜
• 侧入射探测器
• V型槽

侧入射器件在低成本的表面混合集成上有着广泛应用，而V型槽反射镜制备是实现侧入射探测器的重要工艺，在(100)InP圆片抛光背面(制备p-i-n探测器)使用TiO2做为腐蚀掩膜，通过两步光刻套刻技术对腐蚀侧壁进行保护，解决了掩膜侧蚀问题，用HBr与H3PO4混合腐蚀液对InP图形窗口进行各向异性腐蚀，制备了与顶部p-i-n探测器精确对准的V型槽反射镜。该V型槽反射镜深度97 μm，镜面角度54.7°，与V型槽反射镜垂直方向剖面为倒台型结构，成功应用到侧入射探测器(MPD)芯片当中。

• 单位
  中国电子科技集团公司第十三研究所