基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，系统地研究了不同3d过渡金属元素(Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni)掺杂Al12N12纳米线的几何结构、稳定性和电子结构.结果表明：所有掺杂体系均是热力学稳定的；掺杂Ni时体系保留了原有的非磁性间接带隙半导体特性；当掺杂其它原子(Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co)时体系仍然保持为半导体，但带隙明显减小.掺杂过渡金属原子对于Al12N12纳米线的电子结构具有明显的调控作用，在能带调控和光电方面有潜在的应用前景.
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