极化掺杂InN基隧穿场效应晶体管及其制作方法

作者：王晓飞; 孙权; 杨翠

来源：2019-01-31, 中国, ZL201910095373.4.

本发明公开了一种极化掺杂InN基隧穿场效应晶体管,主要解决传统物理掺杂技术引起的随机掺杂波动导致器件性能下降,制作工艺复杂,可靠性低的问题。其自下而上包括：衬底(1)、缓冲层(2)和体区(3),体区的右上部设有极化反型层(4),在体区的上部、极化反型层的左侧和上部淀积有介质层(8),介质层左侧刻蚀有栅台阶(9),介质层上部自右向左依次淀积有调制板(10)、栅极(11)和隧穿栅(12),体区两侧刻蚀有下台阶(5),该台阶的左右侧上部分别设有源极(7)和漏极(6)。本发明避免了传统物理掺杂技术中的退火工艺,改善了器件的输出电流和亚阈值摆幅并抑制了反向漏电,提高了器件可靠性,可用于低功耗电路系统。

• 单位
  西安交通大学; 西安电子科技大学