通过引入LiF,明显提高了基于八羟基喹啉铝双层有机发光二极管的发光效率。2nm厚的LiF空穴阻挡层可将器件的发光效率从2.6cd/A提高到6.3cd/A,研究结果表明,LiF空穴阻挡层可以有效调节空穴的注入与传输,平衡器件中的空穴与电子,提高有机发光二极管的发光效率。