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摘要
本发明涉及一种基于X波段氮化镓预失真集成电路的制作方法,该制作方法包括：制作AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管,测试得到AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的输入阻抗；制作肖特基二极管,使得肖特基二极管的输出阻抗与输入阻抗共轭匹配；键合AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管与肖特基二极管,得到预失真集成电路。本发明实施例的预失真集成电路不仅在低频和窄带信号中能够有效开展,而且在高频和宽带环境下也可以有效输出功率；同时,预失真集成电路可以改善功率放大器的非线性失真,满足通信信号电磁环境模拟器对谐波和互调分量的指标要求。
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