纳米二氧化硅对淋巴管内皮细胞增殖、迁移及管状结构形成的影响

作者：修林青; 云璐; 潘李; 张华^*

来源：中国工业医学杂志, 2018, 31(06): 415-481.

DOI：10.13631/j.cnki.zggyyx.2018.06.004

• 纳米二氧化硅
• 淋巴管增生
• 血管内皮生长因子-C(VEGF-C)
• 血管内皮生长因子受体-3(VEGFR-3)

目的探究纳米二氧化硅(SiNPs)对淋巴管内皮细胞(HLECs)增殖、迁移及管状结构形成能力的影响及其作用机制。方法采用CCK-8法检测HLECs增殖能力,Transwell迁移小室法和基质胶法检测HLECs迁移和管状结构形成能力,并用ELISA实验检测细胞培养液中血管内皮生长因子-C (VEGF-C)和血管内皮生长因子受体-3 (VEGFR-3)的表达情况。结果在10～40μg/ml浓度范围内,随着SiNPs浓度的增加和作用时间的延长,HLECs的增殖能力受到抑制,细胞培养液中VEGF-C的表达量逐渐降低,与对照组相比差异有统计学意义(P<0.05)。不同浓度SiNPs作用后,各组HLECs的迁移能力和管状结构形成能力均增强,细胞培养液中VEGFR-3的表达量逐渐升高,与对照组相比差异有统计学意义(P<0.05)。结论 SiNPs可能通过抑制VEGF-C的表达抑制HLECs的增殖,增强VEGFR-3的表达而促进其迁移和管状结构生成。

• 单位
  青岛大学; 青岛市中心医院