沉积温度对SiC涂层微观结构及组成的影响

作者：邓清; 肖鹏; 熊翔

来源：粉末冶金材料科学与工程, 2006, (05): 304-309.

• 化学气相沉积
• SiC
• 沉积温度
• 微观结构 CVD
• silicon carbide
• deposition temperature
• microstructure

利用MTS-H2-Ar体系,用化学气相沉积法(CVD)在SiC基体材料表面沉积SiC涂层。用X射线衍射仪和扫描电镜分析涂层的晶体结构和表面形貌。研究温度对涂层的物相组成、微观结构和沉积速率的影响。结果表明:在1 100~1 400℃范围内,沉积产物均为单一的-βSiC结晶相;随温度升高,SiC晶粒尺寸增大,1 400℃时择优生长由(110)晶面转变为(220)晶面;涂层形貌对温度十分敏感,在1 200℃温度下沉积的涂层最为致密,且具有最大沉积速率,是制备SiC涂层的最佳温度。

• 单位
  中南大学; 粉末冶金国家重点实验室