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摘要
微机电加工技术的迅速发展与集成电路技术的日益成熟，射频前端设备中的器件朝着小型化、集成化方向发展。压电薄膜体声波谐振器(Film bulk acoustic resonator, FBAR)逐渐成为通信滤波器的研究热点之一。首先基于射频仿真软件ADS 2019,首先采用一维Mason等效电路模型对FBAR器件的谐振频率特性进行模拟，得到FBAR的各膜层厚度以及谐振面积均对频率-阻抗特性有影响。其次以此Mason模型的仿真结果确定各膜层的材料与厚度，根据压电层的材料厚度对MBVD模型的参数提取过程进行了说明。最后以MBVD为模型设计的FBAR的频率达到了3.4GHz及以上，串联谐振频率fs为3.714GHz,并联谐振频率fp为3.811GHz,且S21的值优于-3dB,具体为-0.156dB,有效机电耦合系数约为6.28%,串联谐振因子Qs约为621.17,并联谐振因子Qp约为666.54。
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单位机电工程学院; 中国计量大学; 浙江水利水电学院
