低电压电容式RF MEMS开关设计研究

作者：伍文昌

来源：电子技术与软件工程, 2023, (04): 70-73.

• 电容式RF MEMS开关
• 低驱动电压
• MEMS器件

本文设计了一种低电压电容式RFMEMS开关，开关采用了两端固支梁结构，在梁与CPW共面波导地线的四个固定支撑位置使用了折叠结构，该结构可以减低下拉电压;通过在MEMS开关梁上开孔（直径9μm圆孔）来减小残余应力和杨氏模量和选择合适的开关梁厚度，显著降低了MEMS开关梁的弹性系数和下拉电压。以上措施显著降低了电容式RFMEMS开关的下拉电压，在ANSYS仿真下拉电压约为6V，驱动电压约为8.4V，该MEMS开关依旧保持了较好的S参数，开关插入损耗大于-0.35dB(8-40GHz),回波损耗小于-22dB(8-40GHz)，隔离度（down态S21）大于25dB(8-40GHz)。

• 单位
  机电工程学院; 信阳职业技术学院