基于砷化镓基IPD技术的低通滤波器设计

作者：唐子舜; 邢孟江; 侯明; 李小珍

来源：通信技术, 2020, 53(07): 1812-1815.

• 集成无源器件(IPD)
• 毫米波
• 低通滤波器
• 砷化镓(GaAs)

基于集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)结构设计了一款7阶的椭圆低通滤波器,使用电子设计自动化软件(Advanced Design System,ADS)和三维全波电磁场仿真软件(High Frequency Structure Simulator,HFSS)对设计的滤波器进行仿真设计和优化。仿真结果分析显示,该低通滤波器截止频率为2.575 GHz,通带内的插入损耗低于1.5 dB,回波损耗低于-20 dB,在阻带对信号的衰减程度可以达到50 dB。在毫米波滤波器引入IPD结构,使得滤波器更加小型化,有利于优化滤波器的尺寸,得到较好的滤波器性能指标,是毫米波滤波器发展的一个重要方向。本设计的最终尺寸仅为650μm×720μm×85μm。

• 单位
  昆明学院; 自动化学院; 昆明理工大学