碳化硅功率器件中的金属半导体接触工艺研究

作者：季益静

来源：集成电路应用, 2021, 38(06): 14-16.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2021.06.007

• 集成电路制造
• 碳化硅
• 肖特基接触
• 欧姆接触
• 激光退火

分析碳化硅肖特基接触工艺和欧姆接触工艺技术发展历程,目前存在的问题。碳化硅肖特基接触工艺的发展特征是低势垒高度金属逐渐替代高势垒高度金属,研究发现这与器件应用场景的进化和碳化硅工艺技术水平的发展直接相关。随着更多器件结构设计的引入,碳化硅P型欧姆接触已经变得和N型欧姆接触同等重要。阐述碳化硅金属半导体接触工艺未来优化的方向。