采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了不同原子百分比含量的La掺杂ZnO超晶胞的电子结构和光学性质。结果表明,随着La掺杂量的增加,掺杂体系的体积增加,形成能增加,稳定性降低。La掺杂后禁带宽度明显减少,费米能级向上移动进入导带,转化为n型半导体。与未掺杂ZnO相比,La掺杂后引起光吸收边发生蓝移,高能区的吸收峰发生红移。
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