科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
针对5G通信微基站，提出一种基于GaAs异质结双极晶体管（HBT）工艺，芯片面积为1.3 mm×1.4 mm的高线性宽带宽的射频功率放大器。该放大器采用了异相功率合成方式和J类输出匹配的方法，在两路功率放大器的输入输出端引入了90°相移以及J类模式确定最佳负载阻抗，以此实现高线性宽带宽的特性。在5 V电源和2.85 V偏置电压下，室温条件下测试结果表明，该功率放大器在2～3 GHz频带内，小信号增益为36±0.5 dB。然而在2.4～2.8 GHz频带内，该功率合成结构的功率放大器拥有饱和输出功率大于36 dBm，功率附加效率大于38%。在5G-NR，带宽100 MHz和4G-LTE、带宽20 MHz的调制信号下，在2.4～2.8 GHz工作频带测试，放大器的输出功率为22 dBm，邻近信道功率比（ACPR）约为-43 dBc。
-
单位广东工业大学; 广州穗源微电子科技有限公司
