DRAM异常情况的处理方法

作者：余作明; 杨斌; 范艳艳

来源：集成电路应用, 2018, 35(08): 52-54.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2018.08.014

• 动态随机访问存储器
• 异常情况
• 非法命令
• 存储刷新

分析DRAM可能出现的异常情况,以及可能产生的后果,并阐述了处理异常情况的几种方法。一是通过监测外部非法命令,二是通过监测内部电压、内部温度超标情况,三是通过监测内部刷新命令,四是通过发送特殊的强制退出异常情况的命令。

• 单位
  西安紫光国芯半导体有限公司