一种凹槽P型调制氧化镓功率二极管及其制备方法

作者：马晓华; 陆小力; 何云龙; 郑雪峰; 王当坡; 张方; 洪悦华; 郝跃

来源：2021-09-13, 中国, CN202111070359.2.

本发明涉及一种凹槽P型调制氧化镓功率二极管及其制备方法,该二极管包括：自下而上依次层叠设置的阴极、衬底层、漂移层和阳极,其中,漂移层的上表面间隔开设有若干凹槽,凹槽内填充有介质层,介质层与漂移层形成异质PN结结构；衬底层和漂移层均为Si或Sn掺杂的β-Ga-(2)O-(3)材料,且漂移层的掺杂浓度低于衬底层的掺杂浓度。本发明的凹槽P型调制氧化镓功率二极管,通过凹槽结构与P型NiO介质层的结合,实现了P型NiO在侧面调制氧化镓沟道电场分布,降低阳极边缘电场峰值,提升器件击穿电压,P型NiO介质层与氧化镓形成异质PN结结构,其势垒高度大于肖特基结结构,阳极的反向泄漏电流可以明显降低。

• 单位
  西安电子科技大学