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摘要
本发明涉及半导体器件领域,具体涉及一种组份渐变复合势垒层HEMT器件及其制备方法,该组份渐变复合势垒层HEMT器件,包括SiC衬底/Si衬底、AlN成核层、中部厚度大于两侧厚度的GaN沟道层、AlN插入层、渐变Al组份AlGaN势垒层、与渐变Al组份AlGaN势垒层相邻且厚度相同的固定Al组份AlGaN势垒层、源电极、漏电极、栅电极和钝化层。本发明利用三族氮化物的极化效应,在栅下采用了渐变Al组份AlGaN势垒层,能够有效调节栅下半导体的能带结构,增加了势垒高度,降低了栅泄漏电流；同时在非栅势垒区采用了固定Al组份AlGaN势垒层,能保持沟道区高电子浓度,最终达到降低栅泄漏电流的同时保持漏极输出电流处于较高水平的效果。
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