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摘要
本发明公开了一种增强型氧化镓基功率晶体管及其制作方法,该方法包括：提供Fe掺杂的β-Ga-2O-3衬底；在衬底的表面依次生长β-Ga-2O-3UID层、β-Ga-2O-3沟道层和β-Ga-2O-3欧姆接触层,β-Ga-2O-3沟道层的掺杂浓度低于β-Ga-2O-3欧姆接触层的掺杂浓度；刻蚀欧姆区域之外的β-Ga-2O-3欧姆接触层,并在β-Ga-2O-3欧姆接触层上表面的欧姆区域沉积金属后,形成源电极和漏电极；在β-Ga-2O-3沟道层的上表面旋涂硼(B)掺杂的SOG介质层,并在SOG介质层上表面的栅极区域沉积金属后,制作形成栅电极。本发明通过在β-Ga-2O-3沟道层上表面的栅极区域旋涂B掺杂的SOG介质层作为P型层,可以有效耗尽栅极下方的沟道电子,使得晶体管的阈值电压正移,进而形成增强型器件。
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