一种原位PN结构氧化镓功率二极管及其制备方法

作者：何云龙; 马晓华; 陆小力; 郑雪峰; 张方; 洪悦华; 王当坡; 郝跃

来源：2021-09-13, 中国, CN202111069065.8.

本发明涉及一种原位PN结构氧化镓功率二极管及其制备方法,该方法包括：选取衬底层,在衬底层上表面制备漂移层；在衬底层的下表面制备阴极；在漂移层上刻蚀形成若干纳米沟道结构；在漂移层的上表面制备阳极；对器件进行低温退火工艺处理,得到氧化镓功率二极管；其中,衬底层和漂移层均为Si或Sn掺杂的β-Ga-(2)O-(3)材料,且漂移层的掺杂浓度低于衬底层的掺杂浓度,阳极为Ni/Au金属叠层,金属Ni与漂移层的界面处形成具有P型特征的NiO层,NiO层与漂移层形成异质PN结结构。本发明的制备方法,通过低温退火形成具有P型特性薄层NiO层可与β-Ga-(2)O-(3)形成异质PN结结构,可以降低反向泄漏电流,提升器件击穿电压,纳米沟道结构具有三维调制效果,从而调制电场分布。

• 单位
  西安电子科技大学