铬掺杂硅团簇的结构、稳定性和光电子谱性质研究

作者：林琳; 杨桔材^*; 迎春; 李继军; 赵二俊

来源：光谱学与光谱分析, 2020, 40(05): 1388-1392.

• 铬掺杂硅团簇
• 基态结构
• 稳定性
• 光电子谱

采用CCSD(T)/aug-cc-pVTZ-DK//MP2/6-31G(2df, p)和B3LYP/aug-cc-pVTZ基组研究了小尺寸团簇CrSin(n=3～9)及其阴离子的结构、稳定性以及光电子谱。结果表明:中性及其阴离子的基态结构是外嵌结构。由计算得出的解离能可知,在n<5时, CrSin中性结构的稳定性弱于其阴离子结构。在n≥5时, CrSin中性结构中, CrSi5和CrSi8结构的稳定性强于其相邻团簇; CrSin阴离子结构中, CrSi4和CrSi7结构的稳定性弱于其相邻团簇。计算得出的CrSin垂直电子解离能分别为:CrSi3(2.26 eV), CrSi4(3.21 eV), CrSi5(2.72 eV), CrSi6(3.54 eV), CrSi7(2.45 eV), CrSi8(2.71 eV)和CrSi9(2.95 eV)。除CrSi4以外,其他CrSin结构的垂直电子解离能数值与实验值很好符合,平均绝对误差仅为0.073 eV。计算得出的CrSin绝热电子亲和能分别为:CrSi3(2.07 eV), CrSi4(1.95 eV), CrSi5(2.4 eV), CrSi6(2.32 eV), CrSi7(2.38 eV), CrSi8(2.67 eV)和CrSi9(2.63 eV)。除CrSi6以外,其他CrSin结构的绝热电子亲和能与实验值很好符合,平均绝对误差仅为0.09 eV。此外,在PBE1PBE/6-31G(2df, p)水平下模拟了CrSin(n=3～9)阴离子基态结构的光电子光谱,并与报道的实验结果相比较,可以得出该研究得到的基态结构是可靠的。

• 单位
  内蒙古工业大学