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摘要
介绍了一种新型的基于MEMS体硅加工工艺的L形梁压阻微加速度传感器。在加工过程中采用Si—Si直接键合完成底板与传感器支撑框体之间的粘合,使得后续加工工艺更加简单;采用DRIE释放梁结构,从而保证了梁结构的完整性。分析了该传感器的结构参数和灵敏度,并用ANSYS进行了有限元模拟,同时介绍了其工艺流程,以及封装后的测试结果。芯片尺寸为3.8 mm×3.8 mm×0.82 mm,其中敏感质量块尺寸为2 mm×2 mm×0.4 mm,梁尺寸为2 200μm×100μm×40μm。经初步测试,在采用5 V电源供电时灵敏度为0.5 mV/g左右,3 dB截止频率为520 Hz左右。
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单位中国科学院上海微系统与信息技术研究所; 传感技术国家重点实验室; 中国科学院研究生院
