H2对Al-Si-GNP共掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响

作者：丁春华; 汪国庆^*; 段光申; 姜宏

来源：海南大学学报(自然科学版), 2019, 37(01): 1-5.

DOI：10.15886/j.cnki.hdxbzkb.2019.0001

• 射频磁控溅射
• 共掺杂
• ZnO薄膜
• 光电性能

以玻璃为基底,采用射频磁控溅射法制备了Al2O3、SiO2、氧化石墨烯(GNP)共掺杂氧化锌(GASZO)透明导电薄膜.考察了在Ar(流量不变)中H2流量对薄膜制备的影响.采用X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)等对薄膜形貌、结构进行了表征.结果表明薄膜晶相为纤锌矿结构、呈c轴择优取向; Scherrer公式计算发现增加H2量,可以减小薄膜的平均晶粒尺寸; H2流量对薄膜内应力影响较大.此外,还采用四探针测试仪、紫外—可见分光光度计(UV-Vis)等对薄膜的光电性能进行了表征.当Ar流量为70 sccm、H2占溅射气氛1. 00%时,薄膜具有最低电阻率7. 746×10-4Ω·cm;适量的H2流量可以提高玻璃在近紫外区的透过率;镀膜后样品在可见光区的平均透过率为90%左右.

• 单位
  广东工业大学; 海南大学