Sn单晶粒微凸点的剪切力学性能研究

作者：王波; 陈世杰; 祝进专; 夏卫生; 张加波; 何曼

来源：电子与封装, 2015, 15(06): 32-34.

DOI：10.3969/j.issn.1681-1070.2015.06.008

• 高密度互连
• Sn单晶粒微凸点
• 应变速率敏感度指数
• 滑移断裂

微电子先进封装要求微凸点的尺寸不断缩小以满足高密度互连的需求。而微凸点小型化使其微观组织和力学行为都会发生重要变化,进而影响到封装可靠性。通过剪切实验,研究了基体中仅包含一个Sn晶粒微凸点的剪切力学行为及其断裂模式。研究发现在应力和应变速率关系式中,Sn单晶粒微凸点的应变速率敏感度指数m约为0.1,常数值K约为29。Sn单晶粒微凸点的剪切断口表面光滑平整,滑移带分布清晰,属于单晶滑移断裂。研究结果有助于评估Sn单晶粒微凸点的封装可靠性。

• 单位
  中国电子科技集团公司第三十八研究所; 华中科技大学