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摘要
随着CMOS工艺技术的飞速发展,传统MOSFET器件的结构尺寸持续微缩,各种短沟道相关效应对器件性能的影响越来越严峻。在CMOS工艺节点演进中,为了减小短沟道效应的影响,改善器件性能,需要新技术、新材料以及器件结构的革新。文章回顾了应变硅技术、高K电介质、金属栅的应用,并探讨了对传统平面晶体管的器件结构革新,特别是创新的三维器件结构,包括鳍式场效应晶体管FinFET、环绕栅场效应晶体管GAAFET等。分析表明:FinFET结构中,栅极从三面围绕沟道而进行有效控制,可获得较小的亚阈值漏电及低功耗。而GAAFET结构中,栅极环绕沟道具有比FinFET更优异的性能,能够适用于下一代更先进的CMOS工艺节点。
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单位电子工程学院; 天津职业技术师范大学
