非晶硅TFT强光稳定性的研究及改善

作者：张亚军; 叶发科; 陆磊; Simon Han; Gilbert Seo

来源：现代信息科技, 2022, 6(02): 43-47.

DOI：10.19850/j.cnki.2096-4706.2022.02.011

• LCD
• a-Si TFT
• PECVD
• 高亮度

随着显示产业的迅猛发展，大尺寸、宽色域、高动态范围(HDR)和高亮度给薄膜晶体管(TFT)面板带来了更大的挑战。经过测试，在40 000 nit高亮度背光照明下，经过500小时照明，面板的充电能力衰减幅度高达13%。其机理与TFT结构密切相关，如栅极的功函数和栅极绝缘层(GI)的光学带隙(Eg)。经研究，通过将GI层光学带隙从4.1 eV提升到4.7 eV，高亮度应力下衰减幅度从13%改善到了1%以下。

• 单位
  北京大学深圳研究生院; 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司