n型氧化亚铜薄膜的制备及其光电化学特性

作者：赵翀; 文圆; 邹苑庄; 文思逸; 胡飞^*

来源：中国陶瓷, 2020, 56(04): 26-31.

DOI：10.16521/j.cnki.issn.1001-9642.2020.04.005

• n型Cu_2O薄膜
• 光电化学性能
• 离子掺杂

采用三电极系统在硫酸铜-乳酸体系中电化学沉积法制备Cu2O薄膜,控制电沉积溶液的温度和pH得到n型Cu2O薄膜,并通过光电流(I-t)测试、莫特-肖特基(M-s)曲线测试薄膜的光电性能。结果表明当pH值为8.5～10时,成功地制备出了n型Cu2O薄膜,且当电解液的pH值为8.5,温度为60℃时,n型Cu2O薄膜光电性能最佳。对Cu2O薄膜进行退火处理,有助于改善氧化亚铜薄膜的光电性能。在此基础上,我们对n型Cu2O薄膜进行不同离子掺杂。离子的掺杂能继续提高Cu2O薄膜的光电性能。其中当Cl-为40 mM条件下,Cu2O薄膜的光电化学性能最佳。

• 单位
  景德镇陶瓷大学; 中国轻工业陶瓷研究所