基于两步退火法提升Al/n+Ge欧姆接触及Ge n+/p结二极管性能

作者：王尘^*; 许怡红; 李成; 林海军; 赵铭杰

来源：Acta Physica Sinica, 2019, 68(17): 287-292.

• 低温预退火
• 激光退火
• 锗
• p-n结二极管
• 欧姆接触

锗(Ge)中高激活浓度、低扩散深度的n型掺杂是实现高性能Ge n-MOSFET的重要前提条件.本文采用低温预退火与脉冲激光退火相结合的两步退火法,结合磷离子注入,制备Al/n+Ge的欧姆接触以及Ge n+/p结二极管.通过电流-电压特性测试来研究Al/n+Ge的欧姆接触以及Ge n+/p结二极管的性能,测试结果表明:低温预退火可初步修复注入损伤,并降低激光退火时杂质的扩散深度;结合离子注入工艺和两步退火工艺,Al/n+Ge欧姆接触的比接触电阻率降至2.61×10-6Ω·cm2,Ge n+/p结二极管在±1V的整流比提高到8.35×106,欧姆接触及二极管性能均得到了显著提升.

• 单位
  厦门理工学院; 厦门工学院