SiN_x:Tb~(3+)薄膜中Tb~(3+)与银表面等离激元耦合

作者：任常瑞; 胡翔; 李东升; 杨德仁

来源：材料科学与工程学报, 2009, (01): 139-141.

DOI：10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2009.01.031

• SiNx:Tb3 薄膜
• 银岛膜
• 衰减时间
• 表面等离激元 SiN_x:Tb~(3 ) film
• Silver island film
• decay time
• surface plasmon polarition

本文采用PECVD方法在石英衬底上生长不同剂量比的氮化硅薄膜SiNx,并利用离子注入方法在SiNx中注入Tb3+离子。然后通过在SiNx薄膜表面沉积银岛膜,研究了银表面等离激元和SiNx:Tb3+发光的相互作用。研究发现,银岛膜的存在降低了SiNx:Tb3+发光荧光寿命,而且SiNx:Tb3+发光荧光寿命随着银岛膜厚度的增加而减小。而氮化硅薄膜中的硅纳米晶也会影响Tb3+的光模密度,并对SiNx:Tb3+发光荧光寿命产生影响。

• 单位
  浙江大学; 硅材料国家重点实验室