In3+、Ga3+掺杂BSPT高温压电陶瓷的研究

作者：覃宝全; 江一杭; 赵毅; 姜昱志; 乐夕; 肖定全; 朱建国

来源：功能材料, 2008, (12): 1978-1981.

DOI：10.3321/j.issn:1001-9731.2008.12.012

• BSPT
• 高居里温度压电陶瓷
• 掺杂

将BiGaO3和BiInO3分别引入BiScO3-PbTiO3(BSPT)体系,并通过氧化物合成法制备了0.075BiGaO3-(0.925-x)BiScO3-xPbTiO3(SPTx, x=0.58～0.62)和0.075BiInO3-(0.925-x)BiScO3-xPbTiO3(BISPTx, x=0.61～0.65)压电陶瓷.X射线衍射分析表明,BiGaO3和BiInO3的替换掺杂均不

• 单位
  材料科学与工程学院; 四川大学