一种阴离子化合物插层g-C-3N-4复合膜的制备方法及其应用

作者：冉瑾; 潘婷; 储成全

来源：2019-03-19, 中国, CN201910206629.4.

本发明公开了一种阴离子化合物插层g-C-3N-4复合膜的制备方法及其应用,首先通过热聚合方法得到体相g-C-3N-4；再经过物理剥离得到g-C-3N-4纳米片分散液；最后将阴离子化合物和g-C-3N-4纳米片分散液混合沉积在多孔基底膜上,即得到阴离子化合物插层g-C-3N-4复合膜。与现有的技术相比,本发明制备的阴离子化合物插层g-C-3N-4复合膜有更高的水通量以及更优异的选择性。

• 单位
  合肥工业大学