PMOS负偏压温度不稳定性的改善研究

作者：李冰寒; 于涛易; 华晓春

来源：集成电路应用, 2023, 40(04): 48-51.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2023.04.016

• 集成电路制造
• PMOS
• 负偏压温度不稳定性
• 工艺优化

阐述MOS器件的尺寸逐渐缩小，器件可靠性问题日益突出，特别是PMOS负偏压温度不稳定性（NBTI），逐渐成为影响器件可靠性的关键问题之一。探讨PMOS NBTI效应，设计一系列实验。结果表明，在PMOS源漏结形成过程中，增加F离子注入，以及引入拉应力的氮化硅刻蚀阻挡层，可以有效改善PMOS NBTI寿命。