微血管减压术后并发无菌性脑膜炎的危险因素分析

作者：舒成; 张晖; 黄永安; 陈录; 许佳龙; 程钢戈^*

来源：中华神经医学杂志, 2018, 17(12): 1261-1264.

• 微血管减压术
• 无菌性脑膜炎
• 危险因素

目的探讨微血管减压术(MVD)后发生无菌性脑膜炎(AM)的危险因素,为临床预防MVD术后AM的发生提供参考。方法回顾性分析解放军空军特色医学中心神经外科自2014年1月至2016年12月行MVD治疗的三叉神经痛或面肌痉挛的141例患者的临床资料,采用单因素及多因素Logistic回归分析模型对可能导致AM发生的18项相关因素进行统计分析。结果单因素分析显示:性别、年龄、糖尿病、手术时间、术者熟练程度、术中使用地塞米松及术后换药时间等7种因素是MVD术后发生AM的相关因素(P<0.05);多因素Logistic回归分析显示男性(OR=2.920,P=0.015)、糖尿病(OR=0.200,P=0.026)及术中未使用地塞米松(OR=7.970, P=0.002)是术后发生AM的独立危险因素。结论男性或糖尿病患者MVD术后发生AM概率较高,需注意防治;在MVD操作时,减压完成后于桥小脑角池内注入地塞米松,可以有效降低AM的发生率。

• 单位
  北京大学口腔医院