全脑照射对迟发性脑损伤大鼠学习记忆能力和海马突触结构的影响

作者：刘运林; 张谦; 肖颂华; 刘军; 邢诒刚

来源：中华行为医学与脑科学杂志, 2010, 19(10): 879-881.

DOI：10.3760/cma.j.issn.1674-6554.2010.10.006

• 放射性脑损害
• 海马突触
• 学习记忆
• 大鼠

目的 探讨放射线全脑照射对大鼠迟发性脑损伤后学习记忆能力和海马突触结构的影响.方法 分组采用直线加速器对SD大鼠进行全脑照射,剂量分别为20 Gy和30 Gy.在照射前和照射后120d分别进行Morris水迷宫实验,分析各组大鼠行为学检测结果 ,采用平均逃避潜伏期和搜索策略两个指标评价大鼠学习记忆能力;同时用电镜和计算机图像分析仪观测模型鼠海马CA3区Gray Ⅰ型突触界面结构参数的变化.结果 20 Gy照射后120 d平均潜伏期为(41.17±10.76)s,搜索策略得分(27.13±2.34)分,30 Gy照射后120d平均潜伏期为(78.49±9.32)s,搜索策略得分(16.52±2.71)分,均与照射前及对照组差异有显著性.20 Gy照射后120 d海马突触后膜厚度为(22.03±6.84)nm,30 Gy照射后120 d海马突触后膜厚度为(23.19±7.65)nm,与放射前及对照组比均差异有差著性(P＜0.05).同时还观察到20Gy和30Gy照射后均较对照组突触活性带长度短,突触界面曲率小,突触间隙宽度变窄(P＜0.05).结论 迟发性放射性脑损伤后学习记忆能力下降,并且可能与海马突触病理改变有关.

• 单位
  神经内科; 中山大学; 泰安市中心医院