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摘要
本发明公开了一种基于p型NiO薄膜和斜面终端结构的肖特基二极管,主要解决现有肖特基二极管器件击穿电压过低无法广泛应用在高压高功率器件中的问题。其自下而上包括：欧姆接触金属Au层、欧姆接触金属Ti层、高掺杂n型Ga-2O-3衬底、低掺杂n型Ga-2O-3薄膜和p型NiO薄膜,该低掺杂n型Ga-2O-3薄膜两侧刻有斜面终端结构,p型NiO薄膜两侧刻有斜面终端结构,p型NiO薄膜中间设有深度至低掺杂n型Ga-2O-3薄膜的凹槽,凹槽和p型NiO薄膜上设有肖特基电极Ni层和肖特基电极Au层。本发明避免了在反向关断时随着电压的增加在肖特基结边缘处电场过度集中分布的问题,提高了击穿电压,可用作功率器件和高压开关器件。
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