后道互连工艺中钨塞和金属空洞的研究

作者：顾学强

来源：集成电路应用, 2019, 36(07): 37-39.

DOI：10.19339/j.issn.1674-2583.2019.07.012

• 后道互连
• 金属钨
• 化学汽相淀积工艺
• 金属铝
• 高密度等离子
• 金属空洞

对金属钨淀积工艺中温度对形貌和电学性质的影响进行研究,通过比较450℃和425℃金属钨化学汽相淀积工艺的差异,发现425℃下淀积的金属钨薄膜的方块电阻和标准偏差都略高于450℃下生长的金属钨薄膜。425℃工艺条件淀积的金属钨的通孔电阻高于450℃W条件下的接触电阻。从FIB结果看,425℃和450℃钨沉积均有发现空洞,450℃工艺条件下沉积的金属钨形成的接触孔空洞比425℃形成的空洞略小。同时研究了金属铝后道互连工艺中的金属空洞问题,发现在SEM照片中看到的金属空洞有些是由于工艺原因造成的,有些只是因为SEM制样造成的。而HDP的温度过高是金属空洞形成的可能性之一。尝试通过电学测量数据对金属空洞进行量化,但从数据可以得出结论利用ET数据对空洞问题进行量化还是比较困难。

• 单位
  上海集成电路研发中心有限公司