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摘要
功率MOSFET因其输入阻抗大、开关速率快、工作频率高以及丰富的封装形式、较大的电压及导通电阻选择范围等优势,广泛应用于电源、通信等不同类型的电力电子变换电路。但功率MOSFET并非完美的开关器件,温度敏感的特征决定使用者必须考虑其热效应对器件性能的影响。本文基于功率MOSFET安全工作区分析了关键参数的特点,阐述了寄生电容及热阻特性,研究了温度对相关参数的影响。
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功率MOSFET因其输入阻抗大、开关速率快、工作频率高以及丰富的封装形式、较大的电压及导通电阻选择范围等优势,广泛应用于电源、通信等不同类型的电力电子变换电路。但功率MOSFET并非完美的开关器件,温度敏感的特征决定使用者必须考虑其热效应对器件性能的影响。本文基于功率MOSFET安全工作区分析了关键参数的特点,阐述了寄生电容及热阻特性,研究了温度对相关参数的影响。
