CVD-SiC阵列结构对ZrB_2/SiC涂层抗烧蚀性影响

作者：高志廷; 马壮; 柳彦博^*

来源：航空学报, 2023, 1-10.

• 阵列结构
• 烧蚀
• 等离子喷涂
• C/C复合材料
• CVD-SiC

采用飞秒激光在CVD-SiC中间层表面制备不同尺寸的阵列，研究了阵列结构对ZrB2/SiC涂层性能影响。结果表明，随着激光刻蚀频次的增大，阵列结构的深度从30增大到150μm。采用氧乙炔烧蚀600 s,ZrB2/SiC涂层烧蚀表面温度随CVD-SiC微结构深度增大而逐步降低，最低的表面温度达到1700°C,下降了近200℃。烧蚀中心区域的颜色从白色过度到浅灰色。对于刻蚀频次微5次的试样，在600s的单次循环后，质量烧蚀率和线性烧蚀率分别为-7.4×10-5g/s和-13.3μm/s。阵列结构增大了ZrB2/SiC涂层与CVD-SiC中间层接触面积，从而增大了导热性能，减少热积聚，进而增大了ZrB2/SiC涂层的抗烧蚀性能。

• 单位
  材料学院; 北京理工大学