摘要
采用飞秒激光在CVD-SiC中间层表面制备不同尺寸的阵列,研究了阵列结构对ZrB2/SiC涂层性能影响。结果表明,随着激光刻蚀频次的增大,阵列结构的深度从30增大到150μm。采用氧乙炔烧蚀600 s,ZrB2/SiC涂层烧蚀表面温度随CVD-SiC微结构深度增大而逐步降低,最低的表面温度达到1700°C,下降了近200℃。烧蚀中心区域的颜色从白色过度到浅灰色。对于刻蚀频次微5次的试样,在600s的单次循环后,质量烧蚀率和线性烧蚀率分别为-7.4×10-5g/s和-13.3μm/s。阵列结构增大了ZrB2/SiC涂层与CVD-SiC中间层接触面积,从而增大了导热性能,减少热积聚,进而增大了ZrB2/SiC涂层的抗烧蚀性能。
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单位材料学院; 北京理工大学