Ho掺杂对Bi_(4-x)Ho_xTi_3O_(12)陶瓷结构与铁电性能的影响

作者：王传彬; 傅力; 沈强; 张联盟

来源：无机材料学报, 2012, (07): 721-725.

• Bi4Ti3O12铁电陶瓷
• Ho掺杂
• 固相反应
• 热压烧结
• 铁电性能 Bi4Ti3O12 ferroelectric ceramics
• Ho doping
• solid-state reaction
• hot-press
• ferroelectric property

以Ho为掺杂元素,采用热压烧结方法制备Bi4-xHoxTi3O12陶瓷,重点研究了Ho掺杂量对其物相组成、致密度、微观结构和铁电性能的影响.首先以Bi2O3、TiO2和Ho2O3微粉为原料,利用固相反应在900℃合成出主晶相为Bi4Ti3O12的Bi4-xHoxTi3O12(x=0～0.8)粉体;然后,将合成粉体在850℃、30 MPa条件下热压烧结,当Ho掺杂量x=0～0.4得到了物相单一、整体致密(>99%)的Bi4-xHoxTi3O12陶瓷.随Ho掺杂量的增加,Bi4-xHoxTi3O12陶瓷的剩余极化强度呈现先增大后减小的趋势,主要与氧空位浓度和不同掺杂浓度引起的掺杂位置的不同有关.在...

• 单位
  武汉理工大学; 材料复合新技术国家重点实验室