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摘要
本发明公开了一种基于键合前的背面后硅通孔三维半导体集成结构及其工艺。该三维集成结构包括了晶圆基板,互连电路层(包括多金属层)、TSV、微凸点、BCB键合胶层。本发明的工艺方案包括：首先通过进行在晶圆衬底表面刻蚀TSV孔对另一面进行减薄后自上而下电镀出铜导电结构并进行平坦化处理和微凸点制作；正面减薄后分步多次制作多金属层互连结构最后将多个晶圆进行背对正面键合。该半导体集成工艺方案可靠性高,结构紧凑,多层互连电路分开制作,且键合前完成所有工艺步骤,对芯片整体封装结构影响小,各工艺步骤成熟度高,便于进行大规模生产并提高生产效率。
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