直拉重掺硼硅单晶特殊原生位错的分析改进

作者：莫宇; 韩焕鹏; 赵堃

来源：电子工艺技术, 2023, 44(05): 55-57.

DOI：10.14176/j.issn.1001-3474.2023.05.014

• 重掺硼
• 组分过冷
• 生长速度

研究了<100>重掺硼硅单晶中出现的一种特殊原生位错，分析了腐蚀坑的形态以及腐蚀坑的排列规律，认为单晶生长过程中固液界面局部区域发生严重组分过冷导致了位错产生。设计了采用不同晶体生长速度的重掺硼单晶生长的试验，得到了无特殊原生位错的重掺硼单晶，同时还发现组分过冷不仅出现在晶体等径阶段，在放肩和收肩阶段同样可能发生。

• 单位
  中国电子科技集团公司第四十六研究所