β-CaSiO_3晶体的电子结构及光学性质

作者：何茗; 张树人; 周晓华; 李波; 张婷

来源：材料导报, 2011, (02): 1-3+6.

• β-CaSiO3
• 能带结构
• 电荷分布
• 价键 β-CaSiO3
• band structure
• charge distribution
• valence-bond

基于第一性原理的平面波赝势方法(PWP)的局域密度近似(LDA)/广义梯度近似(GGA)计算了β-Ca-SiO3的几何结构、能带结构、态密度和光学性质。其晶胞参数优化结果与实验相比,LDA/GGA的相对误差为-3.62%/1.91%。对优化后的β-CaSiO3晶体进行能带结构分析表明,β-CaSiO3晶体为间接带隙结构,禁带宽度Eg(LDA)=5.53eV,Eg(GGA)=5.18eV。对态密度图及Mulliken电荷分布的分析表明,Ca的d轨道有电子分布,即Ca的s、p、d轨道均参与了成键。β-CaSiO3晶体中Ca与SiO3基团之间形成的化学键主要是离子键,而Si与O之间的化学键是共价键。

• 单位
  成都医学院; 成都电子机械高等专科学校; 电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室