摘要
基于时域有限差分法(FDTD)在GaN基LED表面分别生长了ZnO柱状与锥状微纳结构,并利用Rsoft模拟仿真软件分析了两种结构的几何参量(排列周期p、高度H、底面直径D等)对GaN基LED光提取效率的影响。结果表明两种结构均可提高器件的光提取效率,柱状结构在H=0.25μm,p=1.5μm,D=0.9μm时表现最优,其光提取效率是未加任何结构平板LED的5.6倍;而锥状结构在H=0.6μm,p=1.4μm,D=1.4μm时表现最优,其光提取效率是未加任何结构平板LED的5.3倍。研究结果对高性能GaN基LED的设计与制备具有一定指导意义。
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单位通信与信息工程学院; 南京邮电大学