ZnO-Bi2O3-BN-Sb2O3基压敏陶瓷的物相演化及电性能

作者:陈涛; 傅邱云*; 周东祥; 沓世我; 付振晓
来源:电子元件与材料, 2020, 39(03): 15-22.
DOI:10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.03.003

摘要

采用还原-再氧化工艺制备了ZnO-Bi2O3-BN-Sb2O3(ZBBS)基压敏陶瓷,系统研究了不同再氧化温度下ZBBS基压敏陶瓷物相演化与电性能之间的关系。结果表明,再氧化温度低于800℃时,样品非线性特性较差;当再氧化温度升高到850℃时,由于富Bi2O3相的形成,使得压敏陶瓷具备明显的非线性特性,其非线性系数α=39.2,漏电流密度JL=0.07μA/cm2。采用还原-再氧化工艺制备的压敏陶瓷有望应用于贱金属内电极多层片式压敏电阻(MLVs),以降低MLVs生产成本。

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